JESD79-3F（DDR3 SDRAM 标准）

DDR3 SDRAM 标准（JESD79-3F） 翻译计划

1 范围

这个文档定义了 DDR3 SDRAM 规范，包括特性、功能、AC和DC特征、封装、球/信号分配。这个规范的目的是定义512Mb至8Gb的x4、x8和x16 DDR3 SDRAM设备应当遵从JEDEC要求的最小集合。这个文档基于DDR2规范（JESD79-2）和DDR规范（JESD79）的一些方面进行创建。委员会投票审议并批准了DDR3 SDRAM操作变更的各个方面。投票中替换的部分和包含的改变添加到了“功能描述和操作”中。

2 DDR3 SDRAM 封装引脚和寻址

2.1~2.9 DDR3 SDRAM 封装

略。

2.10 引脚描述

2.11 DDR3 SDRAM 寻址

2.11.1 512Mb

2.11.2 1Gb

2.11.3 2Gb

2.11.4 4Gb

2.11.5 8Gb

页大小是当一个ACTIVE命令被送达时，数据由数组释放到内部读取放大器的字节数。页大小计算规则：页大小 = 2^(列地址位数) * DQ引脚的位数 / 8。（译者注：对于2Gb x 4，由库地址、行地址、列地址确定的一个存储单元中为4bit数据；对于1Gb x 8，由库地址、行地址、列地址确定的一个存储单元中为8bit数据；对于512Mb x 16，由库地址、行地址、列地址确定的一个存储单元中为16bit数据。页大小即是库中某一行的字节数）

3 功能描述

3.1 简化状态图

简化状态图提供了可能的状态转换概况和控制转换的命令。特别的，涉及到多个库的情况、使能禁能终端电阻以及一些其他事件的细节没有完全描述。

简化状态图中命令定义如下（查看命令真值表获取更多信息）：

3.2 基本功能

DDR3 SDRAM是一种高速动态随机存储器，内部配置为8个DRAM库。DDR3 SDRAM 使用8n预取架构实现高速操作。8n预取架构与一个接口相结合，设计用于在I/O引脚处每时钟周期传输两个数据字。

A single read or write operation for the DDR3 SDRAM consists of a single 8n-bit wide, four
clock data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit wide, one-half clock cycle data
transfers at the I/O pins.

3.3 复位和初始化步骤

3.3.1 上电初始化序列

3.3.2 稳定电源时的复位初始化

3.4 寄存器定义

3.4.1 对模式寄存器进行编程

3.4.2 模式寄存器MR0

3.4.3 模式寄存器MR1

3.4.4 模式寄存器MR2

3.4.5 模式寄存器MR3

6 绝对最大额定值

6.1 绝对最大 DC 额定值

• 笔记1：压力大于“绝对最大额定值”列出的值可能会对设备造成永久性损坏。（这句话翻译不来：This is a stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.）。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。
• 笔记2：存储温度是DRAM中心/顶部外壳表面温度。关于测量条件，请参考 JESD51-2 标准。
• 笔记3：在任何时候VDD与VDDQ的差值应当在300mV以内；当VDD和VDDQ小于500mV时，VREF不得大于 0.6 x VDDQ ；VREF可能等于或者小于300mV。

6.2 DRAM元件工作温度范围

• 笔记1：操作温度 TOPER 是 DRAM 中心/顶部外壳表面温度。关于测量条件，请参考 JESD51-2 标准。
• 笔记2：正常工作温度范围指定了所有DRAM规范都支持的温度。操作期间，DRAM表面温度必须在所有操作下保持在 0~85℃之间。
• 笔记3：一些应用程序要求在外壳温度介于 85 ℃ ~ 95 ℃的扩展温度范围之间进行操作。正式的规范支持这个范围，但适用以下附加条件：
  • a：执行刷新命令的频率必须加倍，因此刷新间隔 tREFI 减少至3.9µs。在扩展温度范围，也可能指定 1X 刷新（ tREFI 为 7.8µs）。请参考供应商数据手册和/或 DIMM SPD 了解选项的可用性。
  • b：如果在扩展温度范围需要自刷新操作，那么它强制使用扩展温度范围功能的手动自刷新模式（MR2 A6 = 0b 并且 MR2 A7 = 1b），或者使能可选的自刷新模式（MR2 A6 = 1b 并且 MR2 A7 = 0b）。 请参考供应商数据手册和/或 DIMM SPD 了解自刷新操作可用性、扩展温度范围支持和扩展温度范围的 tREFI 要求。

7 AC 和 DC 操作条件

7.1 推荐 DC 操作条件

• 笔记1：在所有条件下，VDDQ 必须小于或等于 VDD 。
• 笔记2：VDDQ 跟踪 VDD。测量交流参数时，VDD 和 VDDQ 连接在一起。

11 输入、输出电容

11.1 输入、输出电容

12 DDR3-800、DDR3-2133电气特性和AC时序

12.1 时钟规范

12.1.1 tCK(avg)解释

12.1.2 tCK(abs)解释

12.1.3 tCH(avg)和tCL(avg)解释

12.1.4 tJIT(per)和tJIT(per,lck)解释

12.1.5 tJIT(cc)和tJIT(cc,lck)解释

12.1.6 tERR(nper)解释

12.2 设备密度的刷新参数

• 笔记1：用户应参考DRAM供应商数据表和/或DIMM SPD，以确定DDR3 SDRAM设备是否支持本资料中提及的以下选项或要求。

12.3 标准Speed Bins

DDR3 SDRAM 标准Speed Bins包括每个符合的bin上的tCK、tRCD、tRP、tRAS和tRC。

12.3.1 标准总线速度表的笔记

13 电气特性和AC时序

译者注：当前章节以表格的形式描述DDR3各类参数，包括DDR3-800、DDR3-1067、DDR3-1333、DDR3-1600、DDR3-1866、DDR3-2133。详情查阅官方手册。